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【深度】iPhone基带转单Intel恐引发供应链洗牌,高通股价应声下跌;环球晶圆CEO:今年硅晶圆价格将再涨20%

2018-02-06 来源:  浏览:    关键词:
摘要:1.iPhone基带转单Intel恐引发供应链洗牌;2.传苹果将弃用高通芯片 高通股价应声下跌;3.环球晶圆CEO:今年硅晶圆价格将再涨20%;4.从东方奋起 FD-SOI准备大赚IoT商机;5.赛普拉斯2017年第四季度营收5.975亿美元,同比增长12.7%集微网推出集成电路微信公共号:“天天IC”,重大新…

1.iPhone基带转单Intel恐引发供应链洗牌;

2.传苹果将弃用高通芯片 高通股价应声下跌;

3.环球晶圆CEO:今年硅晶圆价格将再涨20%;

4.从东方奋起 FD-SOI准备大赚IoT商机;

5.赛普拉斯2017年第四季度营收5.975亿美元,同比增长12.7%

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1.iPhone基带转单Intel恐引发供应链洗牌;

集微网消息,凯基投顾分析师郭明錤最近陆续发布今年iPhone新机相关零组件报告,针对iPhone关键零组件基带芯片部分,他指出,苹果今年iPhone产品线可能会全面改用英特尔的基带芯片,一改过去高通七成、英特尔三成的分布。

郭明錤分析,英特尔可能成为今年新iPhone基带芯片独家供货商的原因,包括英特尔基带芯片传输效能满足苹果技术要求、英特尔基带芯片可支持CDMA 2000和双卡双待功能、英特尔报价较有竞争力、 以及苹果与高通正进行专利权官司诉讼等,希望藉此对高通施压。

业界分析,原本高通供应iPhone的基带芯片是由台积电代工,英特尔取代高通后,势必将相关芯片挪回英特尔自家晶圆厂生产。

据悉,过去英特尔和高通出货给苹果的手机基带芯片都是由台积电28nm制程操刀,但英特尔早已规划要拿回自家晶圆厂生产,目前看来下半年就会成行。

高通基带芯片平台采用的功率放大器(PA)等射频组件,主要都是搭配安华高(Avago)的产品,英特尔出线后,恐从安华高转至Qorvo。

京元电从苹果推出iPhone 7时,就是英特尔基带芯片主要后段测试厂,若英特尔全拿iPhone订单,京元电订单也将大增,成为此次英特尔与高通争抢苹果订单的受惠厂商。

路透社消息人士爆料称,博通目前准备提高对高通的收购价格,包括债务在内,第二轮的报价高达1450亿美元。此举被视为博通试图为3月6号高通股东大会上的董事会选举投票赢得支持。

苹果传出今年新款iPhone可能全面弃用高通平台,博通又在此时「适度」提高收购价,苹果和博通站在同一阵线,意在对高通董事会和股东施加压力,想促成股东会同意公开收购案。

因此集微网分析,苹果弃用高通不排除是苹果施压高通的竞争策略,未来是否真的实行也未可知。

2.传苹果将弃用高通芯片 高通股价应声下跌;

新浪科技讯 北京时间2月6日凌晨消息,本周一,在有消息称苹果公司将选用英特尔作为下一代iPhone的调制解调器芯片供应商而不选用高通公司后,高通的股价下跌了3%。

高通多年以来都是苹果公司的芯片供应商,但在去年苹果控告高通对其芯片定价过高并拒绝支付大约10亿美元退款后,高通和苹果的关系开始恶化。

在一份有关芯片供应商的报告中,日本著名券商野村证券(Nomura Instinet)称苹果将抛弃高通转而支持其他芯片供应商,以降低iPhone的物料成本。野村证券相信苹果将从英特尔公司采购其所需的全部调制解调器芯片,目前该芯片有一半是高通提供的。

近期英特尔的股价上涨了1.4%,至46.81美元每股。这家全球最大的PC芯片制造商在移动设备芯片市场中属于后来者,不过该公司如今在全力攻占移动芯片市场。

投资研究公司CFRA Research分析师安格罗·兹诺(Angelo Zino)说:“有预测称苹果将在下一代iPhone中完全弃用高通的芯片,我认为这是高通股价下跌的原因之一。”

上周高通发布了一份盈利预期报告,该报告中已经假定了苹果将在未来产品中弃用高通的芯片。

野村证券分析师罗密特·沙阿(Romit Shah)称,苹果若转而在下一代iPhone中采用英特尔公司的芯片,将为其节省超过1亿美元的资金。

iPhone 7是英特尔开始向苹果供应调制解调器芯片后苹果发布的第一款产品。

路透社曾在去年10月份报道称苹果已经设计好了不用高通芯片的iPhone和iPad产品。来自凯基证券的分析师曾表示英特尔的调制解调器芯片的价格要比高通的便宜,而且也能达到苹果的标准。

但有行业分析师曾表示,英特尔可能在5G网络技术上不如高通,配备高通芯片的iPhone的性能要优于使用英特尔芯片的iPhone。

苹果和英特尔拒绝对此发表评论。高通没有立即作出回应。(小宝)

3.环球晶圆CEO:今年硅晶圆价格将再涨20%;

集微网消息,越来越多来自上游产业的消息表明,2018年的硬件价格跟2017年一样会保持高位甚至略有上涨,特别是半导体产业,以SSD和CPU为首的半导体产品近几年来都毫无降价迹象,因为从2016年下半年开始硅芯片的价格就一路飙升, 现在包括信越化学和Sumco等硅晶圆厂商都将已经硅芯片的的售价调高。

硅晶圆片涨价的主因是AI芯片、5G芯片、汽车电子、物联网等下游产业的崛起—当然也有一部分原因是DIY市场导致的,比如3D NAND芯片的扩产。 环球晶圆(全球第三大硅晶圆厂)CEO Doris Hsu在最近表示,在今年硅晶圆的价格将会进一步上涨20%,大尺寸的硅晶圆片的需求量非常大,其中12英寸的硅晶圆供需缺口最严重(其他硅晶圆厂也一样), 环球晶圆的订单已经填满了2018年的全部产能,全球16家工厂将全天候生产晶圆。 Hsu认为透过消除制造瓶颈,在今年5月到7月,8英寸和12英寸晶圆片的产能将增加7%左右。

去年落脚杭州的FerroTec半导体硅芯片项目其实就是环球晶圆和FerroTec合作的产物,通过与FerroTec合作可使环球晶圆的销量提升20%,到2019年年底,8英寸晶圆片月产能就能扩大30万片,以此缓解需求压力。

4.从东方奋起 FD-SOI准备大赚IoT商机;

若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术,除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程,以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点,各家晶圆代工业者着眼于应用广泛、无所不包的物联网(IoT) 市场对低功耗、低成本组件需求而推出的各种中低阶制程技术选项,也是产业界的关注焦点。

若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术,除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程,以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点,各家晶圆代工业者着眼于应用广泛、无所不包的物联网(IoT) 市场对低功耗、低成本组件需求而推出的各种中低阶制程技术选项,也是产业界的关注焦点。

其中GlobalFoundries的FDX系列制程与Samsung的FD-SOI制程,与其他竞争方案之间的最大差异,就在于采用了无论是英文或中文读来都十分拗口的「全空乏绝缘上覆硅」(Fully Depleted Silicon On Insulator,FD-SOI)技术;该技术早在2011年就由SOI产业联盟(SOI Industry Consortium)、意法半导体(ST)以及其研发伙伴IBM、GlobalFoundries、 三星等率先在业界推广,号称在28奈米与20 (22)奈米节点能达到由英特尔、台积电等支持的新一代FinFET制程相当的性能,但成本与风险更低。

FD-SOI技术优势何在?

不同于FinFET制程采用的3D晶体管结构,FD-SOI为平面制程;根据ST官网上的技术数据,FD-SOI有两大主要创新:首先是采用了埋入氧化物(buried oxide,BOX)超薄绝缘层,放置于硅基板之上 ;接着将超薄的硅薄膜布署于晶体管信道,因为其超薄厚度,信道不需要掺杂(dope),使晶体管能达到完全空乏。 以上两种创新技术的结合全名为「超薄基体埋入氧化层全空乏绝缘上覆硅」(ultra-thin body and buried oxide FD-SOI,UTBB-FD-SOI)。

ST表示,与传统的块状硅技术相较,FD-SOI能提供更好的晶体管静电特性,而埋入氧化层能降低源极(source)与汲极(drain)之间的寄生电容;此外该技术能有效限制源极与汲极之间的电子流动, 大幅降低影响组件性能的泄漏电流(图1)。 除了透过闸极,FD-SOI也能藉由极化(polarizing)组件底层基板来控制晶体管行为,类似于块状硅技术亦可实现的基体偏压(body bias)。

不过块状硅技术的基体偏压非常有限,因为寄生漏电流以及晶体管几何尺寸缩减之后晶体管效率降低;而FD-SOI因为晶体管结构以及超薄绝缘层,偏压效率会更好。 此外,埋入氧化层也能实现更高的基体偏压,达到对晶体管突破性的动态控制──当基板的极化为正向,也就是顺向基体偏压(FBB),晶体管切换速度能加快,并因此能优化组件性能与功耗。

根据ST的说法,FD-SOI能轻易实现FBB并在晶体管运作期间进行动态调节,为设计工程师提供高度弹性,特别是对省电性能与速度有高度要求、性能并非关键的组件,因此是物联网或可携式/穿戴式消费性电子装置应用的理想解决方案。

市场研究机构International Business Strategies (IBS)执行长Handel Jones在2014年发表的一份报告中写道:「同样是100mm见方大小的芯片, 采用28奈米FD-SOI制程的成本比块状CMOS制程低3%,在20奈米节点则可以进一步低30%;这是因为带来更高参数良率的同时,晶圆成本也更低;」此外FD-SOI制程裸晶的复杂度与块状CMOS制程比较,低了10%~12%。

Jones进一步表示:「更小的裸晶面积与更高的参数良率之结合,FD-SOI制程在20奈米节点的产品成本优势会比块状CMOS制程多20%;在28奈米节点,FD-SOI的性能则比20奈米块状CMOS高出15%。 」他并指出:「FD-SOI制程在高/低Vdd方面能提供比块状CMOS制程更高的能源效率等级(energy efficiency levels);FD-SOI在位单元(bit cells)上的电源效率也高出块状CMOS, 这是因为较低的泄漏电流以及对α粒子更好的免疫力。 」

FD-SOI制程:西方冷、东方热

不过尽管FD-SOI号称有上述诸多优势,对于该制程的生产良率、专用晶圆片价格与供应来源稳定性,还有大量生产确切时程、整体技术支持生态系统完整性,产业界仍有诸多疑虑;因此虽然FD-SOI在欧洲有ST、恩智浦(NXP) 等支持者,三星、GlobalFoundries等也分别积极推广自家FD-SOI代工业务,该技术在市场的讨论热度与能见度一直偏低,特别是在西方。

时间来到2017年2月,GlobalFoundries宣布投资100亿美元在中国大陆成都高新西区建立12吋晶圆厂(图2),2018年开始营运的第一期生产线会是转移自该公司新加坡厂之为较成熟的180/130奈米制程, 第二期为转移自其德国德勒斯登(Dresden)厂的22FDX FD-SOI制程生产线,预计2019年开始营运;此讯息在半导体产业界引起广大回响,除了再次昭示了中国发展本土半导体产业链的企图心,也代表FD-SOI制程的「 主战线」将在中国点燃。

中国早在2015年就对FD-SOI技术表达了高度兴趣;当时中国大陆IC设计服务业者芯原(VeriSilicon)执行长戴伟民(Wayne Dai)在接受EE Times记者访问时即表示, 与其不断地在FinFET制程方面追赶台积电或英特尔的脚步,他认为中国应该投资FD-SOI,并以该技术做为低功耗制程的替代方案。 此外上海新傲科技(Simgui)于2015年秋天开始量产首批8吋SOI晶圆片,采用与该公司策略伙伴、法国业者Soitec的Smart Cut制程技术。

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